Источник атомарного крекинга фосфора
Отправить запрос
Источник расщепления атомов фосфора E63PC
(Двухзонный испаритель с крекингом молекулярного фосфора)
Принцип работы и конструктивные особенности
- Двухзонная структура
- Зона испарения:
- Нагрев твердого прекурсора фосфора
- Графитовая герметизация для минимизации утечек паров
- Водяное охлащение для стабилизации давления
- Зона крекинга:
- Танталовая трубка с многослойной теплоизоляцией (до 2000°C)
- Каталитическое расщепление P₄ → 4P (молекулярный → атомарный фосфор)
- Зона испарения:
- Теплоизоляция
- Специальная конструкция между зонами
- Графитовые экраны для снижения теплового взаимодействия
Технические характеристики
Параметр | Значение/Описание |
---|---|
Модель | E63PC |
Нагрев | Независимый для обеих зон |
Температурная стабильность | ≤0.1% (зависит от ПИД-регулятора) |
Макс. ток зоны крекинга | 35 А (R≈0.5 Ом) |
Макс. температура крекинга | 2000°C |
Температура зоны испарения | ≤300°C при работе крекинга |
Скорость утечки | <5×10⁻¹⁰ Па·м³/с |
Затвор | Дополнительный Ta (ручной/пневматический) |
Охлаждение | Встроенное водяное |
Фланец | NW63CF (OD 4.50″) |
Объем тигля | 10 см³ |
Ключевые преимущества
✔ Высокий выход атомарного фосфора за счет каталитического крекинга
✔ Точный контроль температуры (стабильность ≤0.1%)
✔ Эффективная теплоизоляция между зонами
✔ Сверхнизкая утечка (<5×10⁻¹⁰ Па·м³/с)
✔ Безопасность: водяное охлащение и защитные экраны
Области применения
- Эпитаксиальный рост фосфидных полупроводников (InP, GaP)
- Нанотехнологии и квантовые точки
- Исследования в области оптоэлектроники
Сравнение с аналогами
Параметр | E63PC | Стандартные испарители |
---|---|---|
Тип фосфора | Атомарный (P) | Молекулярный (P₄) |
Макс. температура | 2000°C (крекинг) | Обычно до 1200°C |
Чистота процесса | Высокая (за счет изоляции зон) | Риск загрязнений |